各种镜面银COB铝基板参数【镜面高反射98%，德国进口安铝】

品名 23*18镜面银COB铝基板
镜面反射率 95%
外尺寸 23*18mm
镜面尺寸 16*9mm
板厚 1.0mm
瓦数 7-21W
产品特性
1、采用进口安铝高反射镜面基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镜面铝基材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面采用镜面银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、发光区镜面处理，能通过耐硫化实验，不会表面氧化，发黑，发黄
5、焊线级采用沉厚金，方便邦线




品名 44&30镜面银COB铝基板
镜面反射率 95%
外尺寸 ∮44mm&30mm
镜面尺寸 ∮32mm&15mm
板厚 1.0mm
瓦数 3-30W
产品特性
1、采用进口安铝高反射镜面基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镜面铝基材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面采用镜面银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、发光区镜面处理，能通过耐硫化实验，不会表面氧化，发黑，发黄
5、焊线级采用沉厚金，方便邦线




品名 50*8镜面银COB铝基板
镜面反射率 95%
外尺寸 50*8mm
镜面尺寸 30*5mm
板厚 1.0mm
瓦数 10-25W
产品特性
1、采用进口安铝高反射镜面基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镜面铝基材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面采用镜面银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、发光区镜面处理，能通过耐硫化实验，不会表面氧化，发黑，发黄
5、焊线级采用沉厚金，方便邦线


品名 20*24&22*25镜面银COB铝基板
镜面反射率 95%
外尺寸 20*24&22*25mm
镜面尺寸 ∮15mm
板厚 1.0mm
瓦数 3-20W
产品特性
1、采用进口安铝高反射镜面基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镜面铝基材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面采用镜面银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、发光区镜面处理，能通过耐硫化实验，不会表面氧化，发黑，发黄
5、焊线级采用沉厚金，方便邦线





品名 34*36镜面银COB铝基板
镜面反射率 95%
外尺寸 34*36mm
镜面尺寸 ∮20mm
板厚 1.0mm
瓦数 3-9W
产品特性
1、采用进口安铝高反射镜面基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镜面铝基材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面采用镜面银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、发光区镜面处理，能通过耐硫化实验，不会表面氧化，发黑，发黄
5、焊线级采用沉厚金，方便邦线




品名 20*24&22*25镜面银COB铝基板
镜面反射率 95%
外尺寸 20*24&22*25mm
镜面尺寸 ∮15mm
板厚 1.0mm
瓦数 3-20W
产品特性
1、采用进口安铝高反射镜面基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镜面铝基材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面采用镜面银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、发光区镜面处理，能通过耐硫化实验，不会表面氧化，发黑，发黄
5、焊线级采用沉厚金，方便邦线





品名 20*20&12*15mm镜面银COB铝基板
镜面反射率 95%
外尺寸 20*20&12*15mm
镜面尺寸 ∮8mm
板厚 1.0mm
瓦数 3-9W
产品特性
1、采用进口安铝高反射镜面基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镜面铝基材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面采用镜面银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、发光区镜面处理，能通过耐硫化实验，不会表面氧化，发黑，发黄
5、焊线级采用沉厚金，方便邦线






品名 50钻杯COB铝基板
外尺寸 ∮50m
板厚 1.0mm
杯孔直径 1.0mm
产品特性
1、采用中高铝材为基材
2、采用钻杯工艺，芯片直接封装在杯孔铝材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面钻杯工艺，反光率高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线





品名 单棵钻杯COB铝基板
外尺寸 22*12mm
板厚 2.0mm
杯孔直径 5mm
产品特性
1、采用中高铝材为基材
2、采用钻杯工艺，芯片直接封装在杯孔铝材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面钻杯工艺，反光率高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线




品名 65钻杯COB铝基板
外尺寸 ∮65m
板厚 1.0mm
杯孔直径 1.6mm
产品特性
1、采用中高铝材为基材
2、采用钻杯工艺，芯片直接封装在杯孔铝材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面钻杯工艺，反光率高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线




品名 65钻杯COB铝基板
外尺寸 ∮65m
板厚 1.0mm
杯孔直径 1.6mm


产品特性
1、采用中高铝材为基材
2、采用钻杯工艺，芯片直接封装在杯孔铝材上，无中间层热阻，芯片与铝材直接导热
3、表面钻杯工艺，反光率高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线








品名 ∮34镀银COB铜基板
外尺寸 ∮34mm
镜面尺寸 ∮17mm
板厚 1.2mm
瓦数 3-30W

产品特性
1、采用超高导红铜为基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镀银层上，无中间层热阻，芯片与铜材直接导热
3、表面采用镀银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线





品名 ∮70镀银COB铜基板
外尺寸 ∮70m
镜面尺寸 ∮58mm
板厚 2.0mm
瓦数 30-120W

产品特性
1、采用超高导红铜为基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镀银层上，无中间层热阻，芯片与铜材直接导热
3、表面采用镀银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线







品名 48镀银COB铜基板
外尺寸 ∮48m
板厚 2.0mm
瓦数 30W


产品特性
1、采用超高导红铜为基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镀银层上，无中间层热阻，芯片与铜材直接导热
3、表面采用工镀银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线







品名 43*47镀银COB铜基板
外尺寸 ∮43*47m
板厚 2.0mm
瓦数 30W


产品特性
1、采用超高导红铜为基材
2、采用热电分离工艺，芯片直接封装在低阻镀银层上，无中间层热阻，芯片与铜材直接导热
3、表面采用工镀银工艺，反光率极高，且光效分布均匀
4、焊线级采用沉厚金，方便邦线

不错 学习了解了~